সিলিকন কার্বাইড বার

যখন অপারেটিং তাপমাত্রা 1600 ডিগ্রি ছাড়িয়ে যায়, তখন ধাতব গরম করার উপাদানগুলির তীব্র জারণ, কোয়ার্টজ কাচের নরমকরণ এবং বিকৃতি এবং গ্রাফাইট উপকরণগুলিতে অপরিষ্কার বৃষ্টিপাত ... এই ব্যথা পয়েন্টগুলি আপনার ফলনের হারকে প্রশ্রয় দিচ্ছে। এজিআরএম সিলিকন কার্বাইড রডগুলি তিনটি বিপ্লবী বৈশিষ্ট্য সহ শিল্পকে ব্যাহত করছে:

• শূন্য তাপ ক্ষয়: প্রতিরোধের পরিবর্তনের সাথে 5000 ঘন্টার জন্য 2200 ডিগ্রিতে অবিচ্ছিন্ন অপারেশন<3% (measured data)

•তাপ ক্ষেত্রের অভিন্নতা: ± 1.5 ডিগ্রি তাপমাত্রা জোন যথার্থতা (শিল্পের গড় ± 5 ডিগ্রি), ওয়েফার স্ট্রেস ক্র্যাকিং হ্রাস করা

•শক্তি সঞ্চয় এবং ব্যয় হ্রাস: 120W/M · k এর তাপীয় পরিবাহিতা সহ, তারা গ্রাফাইট উপকরণগুলির চেয়ে 40% দ্রুত গরম করে এবং 22% কম শক্তি গ্রহণ করে।

▶ আল্ট্রা - ঘন কাঠামো প্রক্রিয়া

পেটেন্টেড কোল্ড আইসোস্ট্যাটিক প্রেসিং (সিআইপি) প্রযুক্তি ব্যবহার করে, রডটি 3.12g/সেন্টিমিটার (2.8g/সেমি³ এর শিল্পের মানের তুলনায়) এবং 0.2%এরও কম পোরোসিটি অর্জন করে, উচ্চ -}}}}}}}}}}}}}}}

▶ গ্রেডিয়েন্ট সিনটারিং প্রযুক্তি

একটি অনন্য 7 - পর্যায় তাপমাত্রা-নিয়ন্ত্রিত সিনটারিং বক্ররেখা (আইএসও 19685 সার্টিফাইড) যথাযথভাবে 5-8μm এর মধ্যে শস্যের আকার নিয়ন্ত্রণ করে এবং 450 এমপিএ ছাড়িয়ে একটি নমনীয় শক্তি অর্জন করে (তুলনা<300MPa for conventional SiC rods).

▶ সারফেস স্ব - প্যাসিভেশন স্তর

When exposed to an oxygen environment at 1300°C, a 3μm silicon dioxide protective film automatically forms on the surface, reducing the oxidation weight loss rate to 0.01mg/cm²·h (compared to >প্রচলিত প্রক্রিয়াগুলির সাথে 0.1mg/সেমি · এইচ)।

• প্রতিক্রিয়া বন্ধন সিলিকন কার্বাইড
• সাইনরলেস সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড
• গরম - চাপানো সিলিকন কার্বাইড
• সিলিকন কার্বাইড পুনরায় ইনস্টল করা
• হট আইসোস্ট্যাটিক প্রেসিং সিনটারিং সিলিকন কার্বাইড
• স্পার্ক প্লাজমা সিনটারিং সিলিকন কার্বাইড

গরম ট্যাগ: সিলিকন কার্বাইড বার, চীন সিলিকন কার্বাইড বার উত্পাদনকারী, সরবরাহকারী, কারখানা